DRAM

컴퓨팅의 한계에 도전하는
탁월한 성능

혁신을 거듭하고 있는 메모리 기술로 한 단계 높은 컴퓨팅 성능을 경험

삼성 DRAM은 PC에서 고급 AI 애플리케이션용 서버, 데이터 센터까지 다양한 컴퓨팅 솔루션에서 혁신과 성능 개선을 지속하고 있습니다.

다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는DDR(Double Data Rate) 솔루션

고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북용으로 각 애플리케이션에 최적화 설계로 보다 빠른 성능과 더 높은 에너지 효율성을 제공합니다.

DDR5

차세대 컴퓨팅, 데이터센터, 인공지능 등 대규모 데이터 처리에 최적화된 메모리 솔루션을 제공합니다. 최고 수준의 성능, 용량, 저전력을 구현하여 고성능 컴퓨팅 혁신을 가능하게 합니다.

대용량 실시간 데이터를 처리하는
놀라운 속도

최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다.
DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.

혁신을 리드하는 대용량

삼성의 10 nm급 공정과 EUV 기술을 적용하여 16 Gb에서 32 Gb로 메모리 밀도를 상승시켜 업계 최대 용량의 512 GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다. 두 배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시 처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.

자가 수정 솔루션에 기반한
견고한 신뢰성

DDR5에 적용된 ODECC(on-die error correction code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지하며,
DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 합니다. 빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의 오류까지 자가 보정합니다.

환경을 위한 저전력 설계

성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은 전력 효율성을 확보했습니다. 데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1 TWh의 전력이 절감됩니다. 또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력 관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다. 이것은 우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.

삼성전자, DDR5 D램 모듈용 전력관리반도체 공개

삼성전자가 최신 DDR5 D램 모듈의 성능을 극대화하고 전력 사용을 최소화하는 전력관리반도체(PMIC, Power Management IC) 3종을 공개하며, 시스템반도체 라인업을 본격 확대한다.

삼성전자는 2010년 전력관리반도체 분야에 처음 진출한 이후 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품과 PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 전력관리반도체를 출시하고 있다.

삼성전자 전력관리반도체 3종(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01)은 DDR5 D램 모듈에 탑재돼 D램의 성능 향상과 함께 동작 전력을 감소시키는 핵심 반도체로 활용될 것으로 기대된다.

전력관리반도체를 외부 기판에 탑재하던 DDR4 D램와 달리, 최신 DDR5 D램부터는 전력관리반도체를 D램 모듈 기판에 직접 탑재한다. 전력관리반도체와 D램이 하나의 모듈에 위치하기 때문에 전원을 안정적이고 빠르게 공급할 수 있어 메모리 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.

삼성전자는 자체 설계 기술인 '비동기식 2상 전압 강하 제어 회로(Asynchronous based dual phase buck control scheme)'를 적용해 전압의 변화를 실시간으로 빠르게 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지하게 했다.

이 기술을 통해 전력관리반도체는 초고속 DDR5 D램의 데이터 읽기, 쓰기 속도를 더욱 안정적으로 지원할 수 있고, 기존에 전압을 일정하게 유지하기 위해 탑재하던 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 D램 모듈 설계 편의성이 높아졌다.

삼성전자는 엔터프라이즈용 전력관리반도체(S2FPD01, S2FPD02)에 출력 전압을 효율적으로 조정하는 자체 설계 방식인 하이브리드 게이트 드라이버(Hybrid Gate Driver)를 적용해 전력효율을 업계 표준보다 1 % 포인트 높은 91 %까지 향상시켰다.

한편, 데스크탑, 랩탑 등 클라이언트용 DDR5 D램 모듈에 탑재되는 전력관리반도체(S2FPC01)에는 저전력 90나노(nm, nanometer)공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.

삼성전자 시스템LSI사업부 마케팅팀 조장호 상무는 “삼성전자는 모바일과 디스플레이, SSD(Solid State Drive) 전력관리반도체에서 쌓은 설계 기술력과 노하우를 데이터센터, 엔터프라이즈 서버와 PC 등에 탑재되는 DDR5 D램 메모리 모듈에도 적용했다”며 “D램용 전력관리반도체 라인업을 지속 강화하며 기술 리더십을 확대하겠다”고 말했다.

DDR4

미세공정 한계를 극복한 혁신적인 DRAM 기술 개발로 초고속 초절전 DDR4 라인업을 지속 강화하고 있습니다.

고성능, 고신뢰성, 저전력소비의 DDR4

엔터프라이즈 서버부터 PC, 태블릿까지 다양한 애플리케이션을 위한 강력한 성능과 저전력 라인업을 제공합니다.

탁월한 성능

- 최대 3,200 Mbps까지 대역폭 증가

DDR4는 4개의 뱅크 그룹 (총 16개 뱅크) 구조를 채택하여 메모리 액세스 가용성을 증가시키고 최대 3,200 Mbps, 1 TB/s의 시스템 메모리 대역폭 속도를 제공합니다. 이를 통해 더욱 향상된 속도로 대규모 작업량을 손쉽게 처리할 수 있습니다.

저전력 고효율

- 첨단 공정 기술 적용
- 코어 및 전원 전력 감소

업계 최초 1x nm 공정기술을 적용하여 저전력, 고성능을 구현, TCO를 감소시켰습니다. 1.2 V의 낮은 동작 전압 및 POD (Pseudo Open Drain) 인터페이스를 통해 25 % 적은 에너지를 사용하여 전력 소비를 줄일 수 있습니다.

향상된 신뢰성

- 안전한 CRC 전송 시스템
- 오류 방지를 위한 패리티 비트

데이터 센터가 많은 트래픽을 처리함에 따라 시스템 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. DDR4의 멀티 비트 오류를 인식하는 Write CRC 및 시스템 오작동 방지를 위한 CMD/ADD 패리티 검사를 통해 우수한 데이터 전송을 보장합니다.

서버&네트워크

더 강력한 서버,
더 빠른 네트워크

서버와 네트워크 인프라의 미래

5G 네트워크가 클라우드 컴퓨팅, 인공 지능 및 가상 현실 시대를 이끌어 감에 따라 소비자의 삶과 소비자가 의존하는 인프라 모두가 변화하고 있습니다. 이러한 새로운 사례들은 글로벌 서버 시장의 수요와 기술 인프라의 방향을 바꾸었습니다. 이 디지털 혁신은 비용 효율성을 유지하면서 기존 및 하이브리드 클라우드 업무를 모두 지원할 수 있는 빠르고 고용량의 메모리와 스토리지 솔루션으로 서버를 최적화하는 것을 의미합니다. 또한 기업이 클라우드로 전환하기 시작하고, 데이터 센터에서 벗어나 엣지 컴퓨팅을 강조하면서 네트워크 대역폭과 안정성이 그 어느 때보다 중요해졌습니다. 삼성은 성능과 전력을 서버 및 네트워크용 반도체 솔루션의 핵심이라 보고, 기업 이용자가 항상 빠르고 안정적이며 비용 효율적인 인프라 솔루션을 사용할 수 있도록 지원합니다.

성능과 안정성의 일치

영상 스트리밍부터 클라우드 컴퓨팅에 이르기까지 세상은 대용량의 데이터 세상으로 나아가고 있습니다. 엔터프라이즈 서버 및 스토리지 관리자는 안정적인 동시에 업무 수행에 무리가 없는 인프라를 예산 내에서 구축하는 데 있어 심각한 어려움을 겪고 있습니다. 삼성은 종단 간 통합 및 완벽한 품질 관리를 위한 안정성과 우수한 성능의 서버 솔루션을 제공합니다. 삼성의 훌륭한 엔터프라이즈 SSD 라인업은 어떠한 환경에서 운영하든 최대 성능을 제공할 수 있는 다양한 인터페이스와 폼팩터를 제공합니다. 또한 서버 응용처 향으로 설계된 8 GB~ 256 GB의 용량의 RDIMM과 LRDIMM DRAM 제품 또한 제공합니다.

5G의 잠재력을 깨우다

5G시대와 프리미엄 기기는 서비스와 플랫폼에 새로운 기회를 제공해줍니다. AR부터 IoT까지, 엣지 컴퓨팅과 분산 클라우드 기능을 위한 수요가 증가하고 있습니다. 그러나 이러한 기술을 제공하기 위해서는 고용량 및 다양한 연결을 지원 할 수 있는 확장 가능한 네트워크 장비를 설계해야 합니다. 삼성은 DRAM 및 SSD를 포함해 우수한 메모리 솔루션을 제공하며, 이는 엣지 컴퓨팅의 수요를 충족해주는 맞춤화 프로그래밍을 가능케 합니다. 삼성의 DDR4 RDIMM 및 DDR4 LRDIMM 제품군은 최대 256 GB의 고용량의 DIMM을 제공합니다. 한편 고대역폭 메모리인 HBM2 Aquabolt는 성능과 효율성을 크게 향상시켜 서비스 제공 업체가 5G를 활용한 새로운 기회를 창출할 수 있게 해줍니다.

주요 제품

HBM2 Aquabolt메모리 혁신

전력 집약적인 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 새롭고 혁신적인 메모리가 등장했습니다. 시스템에서 오직 4개의 Aquabolt 패키지만 있으면 최대 1.2 TB/s의 빠른 속도 구현이 가능합니다. 또한, HBM2 Aquabolt는 1.2 V에서 핀 당 2.4 Gbps의 1024 I/O 와 8 Gb GDDR5에 비해 10배 빠른 데이터 전송 속도를 제공합니다. 이 제품의 혁신적인 디자인은 읽기 및 쓰기 전력 소비 또한 각각 약 30 %와 20 % 줄여 줍니다.

DDR4 RDIMM최적화된 성능

속도와 전력을 우선 고려할 때, 삼성 DDR4 RDIMM은 최적화된 서버 성능을 보여줍니다. 삼성 DDR4 RDIMM을 추가하면 CPU 성능과 컴퓨팅 잠재력이 극대화될 뿐만 아니라, 가상현실 구현 기기과 애플리케이션이 더욱 강력하고 즉각적으로 반응하게 됩니다. 최신 DRAM 기술로 구축된 삼성의 DDR4 RDIMM은 최대 256 GB의 모듈 용량과 최대 3,200 Mbps의 속도를 제공하여, 엔터프라이즈 서버 관리자가 서버의 메모리 용량을 늘려 시스템 성능을 최적화 할 수 있습니다.

RDIMM

서버향 Registered DIMM

- clock 및 command, address 신호 향상을 위한 레지스터 포함
- 추가 된 8bit ECC(Error Correction Code) 지원으로 향상된 오류 수정 기능
- x4 / x8 org. 지원, Multi-DIMM per channel 가능, Multi-Rank 통한 고용량 구성 가능
- 응용처 : 서버

LRDIMM

서버향 Load Reduced DIMM

- clock 및 command, address 신호 향상을 위한 레지스터 포함
- 고신뢰성, 고성능 지원을 위한 데이터 버퍼 사용
- x4 / x8 org. 지원, Multi-DIMM per channel 가능, Multi-Rank 통한 고용량 구성 가능
- 응용처 : 서버

UDIMM

PC향 DIMM

- PC를 위한 최적의 솔루션
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 데스크탑 PC

SODIMM

노트북향 Small Outline DIMM

- 더 작은 폼펙터로 공간 효율 향상 가능
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 노트북

ECC UDIMM
/ ECC SODIMM

고신뢰성 UDIMM / SODIMM

- ECC(Error Correction Code) 지원을 통한 Data 오류 수정 및 감지 기능
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 고사양 데스크탑, 고사양 노트북, 서버

DDR3

2005년 업계 최초 DDR3 발표 이후 지속적인 기술 개선으로 PC, 가전제품 등 다양한 애플리케이션에 적합한 성능을 지원합니다.

DDR3

가장 많이 선택하는 메모리 제품

모든 컴퓨팅 환경에 적합

2005년 개발된 삼성전자의 DDR3는 업계 최초로 등장하여 PC, 가전 제품부터 자동차 및 의료 기기까지 가장 많이 사용되는 시스템 솔루션입니다.

높은 속도와 성능

- 주파수폭 DDR2의 2 배

삼성 DDR3의 대역폭과 안정성이 확장되어 노트북, 데스크탑과 자동차 등의 산업용 솔루션과 같은 다양한한 애플리케이션을 DDR2의 두 배 속도로 작동시킵니다.

저전력의 효율적인 DRAM 솔루션

- DDR2 대비 전력 감축 최대 30 %

삼성전자의 업계 최초 30 nm 클래스 DRAM은 이전 세대에 비해 전력 소비를 30 % 감축시켜 TCO를 낮춥니다.