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PC SSD

사용자의 PC 경험을
변화시키는 SSD



PC 및 workstation을 위한 최고의 선택

신속한 데이터 처리와 소형 폼팩터로 PC를 위한 고성능 스토리지의 기준을 세웁니다.

PM9A1

- 세계 최초의 PCIe® Gen4 NVMe™
PC용 SSD

AI, Big Data, Data Simulation처럼 고성능 연산이 필요한 새로운 PC 응용에 PCIe® Gen4 NVMe™의 진정한 성능을 제공합니다.

 



PM981a

- PCIe Gen.3의 최고 성능을 제공하는 SSD

PM981a는 PCIe® 3.0 인터페이스 기반 최대 4개의 lane과 TurboWrite 기술로 PCIe Gen.3의 최대 성능을 지원합니다.



PM991/PM991a

- PCIe 성능의 합리적인 선택

PM991a는 다양한 M.2 폼팩터 기반의 뛰어난 디자인의 유연성을 제공합니다. 콤팩트 해진 사이즈와 파워 효율로 슬림해진(얇아진) 노트북용 스토리지로 권장합니다.



PM881

- 사무용, 가정용 PC를 위한 최고의 선택

PM881은 SATA 6.0 Gbs 기반 SSD로 사용자 경험을 극대화하기 위한 터보 라이트 기술이 적용되었습니다. 또한 다양한 용량, 저전력, TCG OPAL규격 데이터 보호 기능을 제공합니다.


PM9A1

4세대,
PC SSD의 새 기준

세계 최초 PCIe® 4.0 NVMe™
PC용 SSD

고객의 혁신을 가속화하는 최첨단 PC , 그 PC의 차원이 다른 성능을 위한 PCIe® 4.0 NVMe™ SSD의 진가를 확인하십시오.

* 주요 PC 제조업체에서 처음으로 채용한 PCIe® 4.0 NVMe™ 클라이언트 PC SSD



Gen. 4의 혁신, 속도

PCIe Gen.4 인터페이를 통해 최대 7,000 MB/s의 연속 읽기 속도를 제공합니다. 다양한 정보 처리 가속화를 위해 임의 읽기 속도도 1,000K IOPS로 50 % 향상되었습니다.



* 삼성 NVMe™ SSD PM981a 2 TB와 비교

* 성능은 호스트 구성에 따라 달라질 수 있습니다.

M.2 폼팩터로 대용량 2TB 구현

M.2 폼팩터로 2TB 용량을 지원합니다. 이제, 모든 정보를 단 하나의 작은 스토리지에 저장하십시오.

* M.2 2280 폼팩터

눈을 뗄 수 없을 정도의 빠른 응답 속도

점점 다양해지는 PC 응용의 다양한 작업도 빠르게 처리할 준비가 되어있습니다. 짧은 응답 대기 시간은 사용자의 특수한 PC SW 환경에서도 PCIe SSD의 빠른 연속 및 임의 속도를 제공합니다.



차세대 낸드플래시가 바꿀 미래

코로나 19가 가져온 답답해진 일상으로 가족 그리고 가까운 친구들과 함께 보냈던 시간이 더욱 소중해지는 요즘이다. 스마트폰에 저장돼 있는 가족의 사진을 보거나 SNS에 올라온 친구들의 근황을 보며, 웃고 우는 이유는 그들의 존재 자체가 우리 삶의 원동력이기 때문이다.

시간과 장소에 구애받지 않고, 그리웠던 순간들과 멀리 떨어져 있는 친구들의 현재를 언제 어디에서라도 꺼내어 볼 수 있는 건 바로 스마트폰이나 데이터센터에 들어가 있는 낸드플래시 메모리 반도체 덕분이다.

딱딱한 사전적 의미 이면에 낸드플래시는 어쩌면 우리에게 일상의 희로애락을 기록해 둔 삶의 일지이자, 추억 앨범일 수도 있다. 반도체 업계에서 낸드플래시 개발을 책임지는 기술인으로서, 우리들의 행복한 추억이 선명하고 오래 간직될 수 있도록 치열하게 고민하고 있는 우리의 노력과 앞으로의 포부를 소개하고자 한다.


미지의 3차원 수직구조 시대를 개척한 삼성전자

우주의 역사를 1년으로 볼 때 인류의 역사는 고작 마지막 14초에 불과하며, 태양과 지구가 그 중심이 아니고 1,700억 개 이상의 은하계가 계속 확장되는 것으로 알려져 있다. 이와 같은 우주의 신비는 반도체에도 그대로 묻어나 있다.

손톱보다도 작은 반도체 칩을 전자현미경으로 들여다보면 그 안에 하나의 도시가 자리 잡고 있다. 1mm 두께 안에 100층 이상의 건물을 지어 올리기도 하고, 반대로 지하로 파고들어 수백만 개의 공간을 만들고 데이터를 저장하고 있는 것이다.

데이터를 저장하는 용도의 낸드플래시 메모리는 과거에는 평면상에서 칩을 작게 구현하는 2차원 구조였다. 그러나 한정된 공간에 수많은 데이터를 담아야 하기 때문에 기존의 2차원 구조는 한계에 부딪혔다.

이에 삼성전자는 고심 끝에 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 제품, 이른바 ‘V(Vertical) 낸드’를 세계 최초로 개발하게 된 것이다.

2013년 첫선을 보였던 3차원 V낸드는 당시 수십 년 간 당연한 것처럼 여겨졌던 전통적인 2차원 방식에서 완전히 벗어난 새로운 패러다임이었다. 평평한 대지에 집을 짓고 살았던 사람들이 인구가 늘어나게 되자 아파트를 짓고 살게 된 것과 같은 이치다.

삼성전자만의 명품 V낸드

2013년 당시 혁신이었던 3차원 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다.

24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다. 그동안 V낸드는 단수를 높여가며 진화해왔다. 하지만 무조건 쌓는 것만이 전부는 아니다. 예를 들어 아파트를 지을 때 층수가 높은 고층 아파트라고 해서 무조건 명품 아파트라고 할 수는 없는 것이다.

높지만 튼튼해야 하며, 높을수록 안전한 고속 엘리베이터를 이용해 출입도 쉽게 해야 한다. 층간소음도 고려해야 할 문제이고, 고도제한이란 게 있기 때문에 무한정 높게만 지을 수도 없을 것이다.

V낸드도 마찬가지다. 층수는 비슷하지만 안을 자세히 들여다보면 미세한 차이들이 있다. 반도체 세계에서는 미세한 차이가 어마어마한 결과를 낳는다.

업계 최소 셀 크기-압도적 싱글 스택 에칭 기술력··· ‘단수는 높이고, 높이는 줄이고, 간섭은 최소화’

다시 시간을 돌려 2013년으로 돌아가 보자.

삼성전자는 2차원 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원으로 셀을 쌓아 올렸다. 당시에는 단수가 낮았기 때문에 높이에 대한 고민이 필요 없었다. 하지만 고집적, 고용량에 대한 요구로 단수가 높아지면서, 제약이 없을 것 같았던 높이도 물리적 한계를 고려해야 하는 상황이 도래했다.

우리는 한 발 앞서 이러한 고민을 시작하고, 해결책을 모색해 왔다. 삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다. 이것이 가능한 이유는 삼성전자가 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문이다.

3차원 스케일링(3D Scaling) 기술을 통해 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켜, 체적을 최대 35%까지 줄였다. 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀간 간섭현상도 제어했다.

즉 같은 단수를 보다 낮게 구현할 수 있어, 향후 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다.

또 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 십억 개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글 스택 에칭 기술력을 갖췄다. 즉 작은 셀 크기와 압도적인 싱글 스택 에칭 기술력을 기반으로, 향후 수백 단 이상의 초고단 V낸드를 한 발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다.

하반기 7세대 V낸드··· 200단 넘는 8세대 동작 칩도 확보

업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 제품이 올해 하반기에 첫 출시가 될 계획이다. 최대 2.0 Gbps 입출력(I/O) 성능의 7세대 V낸드는 4세대 PCIe 인터페이스(PCIe Gen 4) 뿐만 아니라, 향후 5세대(PCIe Gen 5)까지 성능 요구를 만족시킬 것으로 기대된다. 또 6세대 대비 한층 강화된 성능으로 3D 모델링, 영상편집 등 대용량 워크로드의 작업을 동시에 처리하는, 멀티태스킹 환경에 최적의 설루션을 제공할 계획이다.

뿐만 아니라 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다. 또 저전력 설루션을 기반으로 이전 세대 대비 전력 효율을 16% 끌어올려, 데이터센터를 운영하는 기업들이 전력을 줄이는 동시에 지구환경에 기여할 수 있도록 한다는 방침이다.

또 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로, 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다.

미세한 기술력의 우위가 결국 고객에게 차별화된 가치를 제공하고 시장은 이를 통해 역시 삼성전자임을 인정할 것으로 믿고 있다.

삼성전자 V낸드의 미래, 1000단 이상을 바라본다

반도체 산업에서 우연은 없다. 미지의 기술을 세계 최초로 얻어내기 위해서는 시간은 물론, 엄청난 자본과 투자가 필요하다. 오늘의 삼성전자가 인고의 시간을 겪고 세계 1등이 된 것은, 어제보다 행복한 일상을 가능하게 하겠다는 열정과 혼, 사명감이 있었기 때문이다.

평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구 끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 우리는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것이다.

미래 1,000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것이다.

확장 현실의 새로운 패러다임, 반도체 역할 더욱 커질 것

세상은 기술의 발달로 ‘확장 현실(XR, eXtended Reality)’의 새로운 패러다임으로 가고 있는 가운데 코로나19로 인해 확장 현실이 일상이 될 시기는 점점 당겨지고 있다. 현실과 가상의 구분이 모호해지거나 겹쳐져, 생활방식 자체가 바뀌는 시대에 접어든 것이다. 앞으로 IT 기기와 기술은 지금까지와 전혀 다른 차원의 새로운 접근 방식을 필요로 할 것이다. 이를 위한 반도체의 역할은 그 어느 때보다 중요해진다는 이야기가 된다.

미래 반도체 경쟁에서 확실한 기술 우위를 바탕으로 혁신적인 제품을 시장에 선보임으로써, 행복한 사회를 구현하기 위해 부단히 노력할 것이다.


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DRAM

컴퓨팅의 한계에 도전하는
탁월한 성능



혁신을 거듭하고 있는 메모리 기술로 한 단계 높은 컴퓨팅 성능을 경험

삼성 DRAM은 PC에서 고급 AI 애플리케이션용 서버, 데이터 센터까지 다양한 컴퓨팅 솔루션에서 혁신과 성능 개선을 지속하고 있습니다.

다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는DDR(Double Data Rate) 솔루션

고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북용으로 각 애플리케이션에 최적화 설계로 보다 빠른 성능과 더 높은 에너지 효율성을 제공합니다.


 

 

DDR5

차세대 컴퓨팅, 데이터센터, 인공지능 등 대규모 데이터 처리에 최적화된 메모리 솔루션을 제공합니다. 최고 수준의 성능, 용량, 저전력을 구현하여 고성능 컴퓨팅 혁신을 가능하게 합니다.

 

 


대용량 실시간 데이터를 처리하는
놀라운 속도

최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다.
DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.

혁신을 리드하는 대용량

삼성의 10 nm급 공정과 EUV 기술을 적용하여 16 Gb에서 32 Gb로 메모리 밀도를 상승시켜 업계 최대 용량의 512 GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다. 두 배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시 처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.



자가 수정 솔루션에 기반한
견고한 신뢰성

DDR5에 적용된 ODECC(on-die error correction code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지하며,
DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 합니다. 빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의 오류까지 자가 보정합니다.

환경을 위한 저전력 설계

성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은 전력 효율성을 확보했습니다. 데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1 TWh의 전력이 절감됩니다. 또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력 관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다. 이것은 우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.



삼성전자, DDR5 D램 모듈용 전력관리반도체 공개

삼성전자가 최신 DDR5 D램 모듈의 성능을 극대화하고 전력 사용을 최소화하는 전력관리반도체(PMIC, Power Management IC) 3종을 공개하며, 시스템반도체 라인업을 본격 확대한다.

삼성전자는 2010년 전력관리반도체 분야에 처음 진출한 이후 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품과 PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 전력관리반도체를 출시하고 있다.

삼성전자 전력관리반도체 3종(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01)은 DDR5 D램 모듈에 탑재돼 D램의 성능 향상과 함께 동작 전력을 감소시키는 핵심 반도체로 활용될 것으로 기대된다.



전력관리반도체를 외부 기판에 탑재하던 DDR4 D램와 달리, 최신 DDR5 D램부터는 전력관리반도체를 D램 모듈 기판에 직접 탑재한다. 전력관리반도체와 D램이 하나의 모듈에 위치하기 때문에 전원을 안정적이고 빠르게 공급할 수 있어 메모리 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.

삼성전자는 자체 설계 기술인 '비동기식 2상 전압 강하 제어 회로(Asynchronous based dual phase buck control scheme)'를 적용해 전압의 변화를 실시간으로 빠르게 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지하게 했다.

이 기술을 통해 전력관리반도체는 초고속 DDR5 D램의 데이터 읽기, 쓰기 속도를 더욱 안정적으로 지원할 수 있고, 기존에 전압을 일정하게 유지하기 위해 탑재하던 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 D램 모듈 설계 편의성이 높아졌다.

삼성전자는 엔터프라이즈용 전력관리반도체(S2FPD01, S2FPD02)에 출력 전압을 효율적으로 조정하는 자체 설계 방식인 하이브리드 게이트 드라이버(Hybrid Gate Driver)를 적용해 전력효율을 업계 표준보다 1 % 포인트 높은 91 %까지 향상시켰다.

한편, 데스크탑, 랩탑 등 클라이언트용 DDR5 D램 모듈에 탑재되는 전력관리반도체(S2FPC01)에는 저전력 90나노(nm, nanometer)공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.

삼성전자 시스템LSI사업부 마케팅팀 조장호 상무는 “삼성전자는 모바일과 디스플레이, SSD(Solid State Drive) 전력관리반도체에서 쌓은 설계 기술력과 노하우를 데이터센터, 엔터프라이즈 서버와 PC 등에 탑재되는 DDR5 D램 메모리 모듈에도 적용했다”며 “D램용 전력관리반도체 라인업을 지속 강화하며 기술 리더십을 확대하겠다”고 말했다.


 

DDR4

미세공정 한계를 극복한 혁신적인 DRAM 기술 개발로 초고속 초절전 DDR4 라인업을 지속 강화하고 있습니다.

 

 

 

 


고성능, 고신뢰성, 저전력소비의 DDR4

엔터프라이즈 서버부터 PC, 태블릿까지 다양한 애플리케이션을 위한 강력한 성능과 저전력 라인업을 제공합니다.


탁월한 성능

- 최대 3,200 Mbps까지 대역폭 증가

DDR4는 4개의 뱅크 그룹 (총 16개 뱅크) 구조를 채택하여 메모리 액세스 가용성을 증가시키고 최대 3,200 Mbps, 1 TB/s의 시스템 메모리 대역폭 속도를 제공합니다. 이를 통해 더욱 향상된 속도로 대규모 작업량을 손쉽게 처리할 수 있습니다.


저전력 고효율

- 첨단 공정 기술 적용
- 코어 및 전원 전력 감소

업계 최초 1x nm 공정기술을 적용하여 저전력, 고성능을 구현, TCO를 감소시켰습니다. 1.2 V의 낮은 동작 전압 및 POD (Pseudo Open Drain) 인터페이스를 통해 25 % 적은 에너지를 사용하여 전력 소비를 줄일 수 있습니다.

 


향상된 신뢰성

- 안전한 CRC 전송 시스템
- 오류 방지를 위한 패리티 비트

데이터 센터가 많은 트래픽을 처리함에 따라 시스템 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. DDR4의 멀티 비트 오류를 인식하는 Write CRC 및 시스템 오작동 방지를 위한 CMD/ADD 패리티 검사를 통해 우수한 데이터 전송을 보장합니다.


서버&네트워크

더 강력한 서버,
더 빠른 네트워크

서버와 네트워크 인프라의 미래

5G 네트워크가 클라우드 컴퓨팅, 인공 지능 및 가상 현실 시대를 이끌어 감에 따라 소비자의 삶과 소비자가 의존하는 인프라 모두가 변화하고 있습니다. 이러한 새로운 사례들은 글로벌 서버 시장의 수요와 기술 인프라의 방향을 바꾸었습니다. 이 디지털 혁신은 비용 효율성을 유지하면서 기존 및 하이브리드 클라우드 업무를 모두 지원할 수 있는 빠르고 고용량의 메모리와 스토리지 솔루션으로 서버를 최적화하는 것을 의미합니다. 또한 기업이 클라우드로 전환하기 시작하고, 데이터 센터에서 벗어나 엣지 컴퓨팅을 강조하면서 네트워크 대역폭과 안정성이 그 어느 때보다 중요해졌습니다. 삼성은 성능과 전력을 서버 및 네트워크용 반도체 솔루션의 핵심이라 보고, 기업 이용자가 항상 빠르고 안정적이며 비용 효율적인 인프라 솔루션을 사용할 수 있도록 지원합니다.

성능과 안정성의 일치

영상 스트리밍부터 클라우드 컴퓨팅에 이르기까지 세상은 대용량의 데이터 세상으로 나아가고 있습니다. 엔터프라이즈 서버 및 스토리지 관리자는 안정적인 동시에 업무 수행에 무리가 없는 인프라를 예산 내에서 구축하는 데 있어 심각한 어려움을 겪고 있습니다. 삼성은 종단 간 통합 및 완벽한 품질 관리를 위한 안정성과 우수한 성능의 서버 솔루션을 제공합니다. 삼성의 훌륭한 엔터프라이즈 SSD 라인업은 어떠한 환경에서 운영하든 최대 성능을 제공할 수 있는 다양한 인터페이스와 폼팩터를 제공합니다. 또한 서버 응용처 향으로 설계된 8 GB~ 256 GB의 용량의 RDIMM과 LRDIMM DRAM 제품 또한 제공합니다.

5G의 잠재력을 깨우다

5G시대와 프리미엄 기기는 서비스와 플랫폼에 새로운 기회를 제공해줍니다. AR부터 IoT까지, 엣지 컴퓨팅과 분산 클라우드 기능을 위한 수요가 증가하고 있습니다. 그러나 이러한 기술을 제공하기 위해서는 고용량 및 다양한 연결을 지원 할 수 있는 확장 가능한 네트워크 장비를 설계해야 합니다. 삼성은 DRAM 및 SSD를 포함해 우수한 메모리 솔루션을 제공하며, 이는 엣지 컴퓨팅의 수요를 충족해주는 맞춤화 프로그래밍을 가능케 합니다. 삼성의 DDR4 RDIMM 및 DDR4 LRDIMM 제품군은 최대 256 GB의 고용량의 DIMM을 제공합니다. 한편 고대역폭 메모리인 HBM2 Aquabolt는 성능과 효율성을 크게 향상시켜 서비스 제공 업체가 5G를 활용한 새로운 기회를 창출할 수 있게 해줍니다.

주요 제품


HBM2 Aquabolt메모리 혁신

전력 집약적인 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 새롭고 혁신적인 메모리가 등장했습니다. 시스템에서 오직 4개의 Aquabolt 패키지만 있으면 최대 1.2 TB/s의 빠른 속도 구현이 가능합니다. 또한, HBM2 Aquabolt는 1.2 V에서 핀 당 2.4 Gbps의 1024 I/O 와 8 Gb GDDR5에 비해 10배 빠른 데이터 전송 속도를 제공합니다. 이 제품의 혁신적인 디자인은 읽기 및 쓰기 전력 소비 또한 각각 약 30 %와 20 % 줄여 줍니다.


DDR4 RDIMM최적화된 성능

속도와 전력을 우선 고려할 때, 삼성 DDR4 RDIMM은 최적화된 서버 성능을 보여줍니다. 삼성 DDR4 RDIMM을 추가하면 CPU 성능과 컴퓨팅 잠재력이 극대화될 뿐만 아니라, 가상현실 구현 기기과 애플리케이션이 더욱 강력하고 즉각적으로 반응하게 됩니다. 최신 DRAM 기술로 구축된 삼성의 DDR4 RDIMM은 최대 256 GB의 모듈 용량과 최대 3,200 Mbps의 속도를 제공하여, 엔터프라이즈 서버 관리자가 서버의 메모리 용량을 늘려 시스템 성능을 최적화 할 수 있습니다.


RDIMM

서버향 Registered DIMM

- clock 및 command, address 신호 향상을 위한 레지스터 포함
- 추가 된 8bit ECC(Error Correction Code) 지원으로 향상된 오류 수정 기능
- x4 / x8 org. 지원, Multi-DIMM per channel 가능, Multi-Rank 통한 고용량 구성 가능
- 응용처 : 서버

LRDIMM

서버향 Load Reduced DIMM

- clock 및 command, address 신호 향상을 위한 레지스터 포함
- 고신뢰성, 고성능 지원을 위한 데이터 버퍼 사용
- x4 / x8 org. 지원, Multi-DIMM per channel 가능, Multi-Rank 통한 고용량 구성 가능
- 응용처 : 서버

UDIMM

PC향 DIMM

- PC를 위한 최적의 솔루션
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 데스크탑 PC

SODIMM

노트북향 Small Outline DIMM

- 더 작은 폼펙터로 공간 효율 향상 가능
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 노트북

ECC UDIMM
/ ECC SODIMM

고신뢰성 UDIMM / SODIMM

- ECC(Error Correction Code) 지원을 통한 Data 오류 수정 및 감지 기능
- x8 / x16 org. 지원, 각 DIMM당 최대 2개 랭크, 2DPC 구성
- 응용처 : 고사양 데스크탑, 고사양 노트북, 서버


 

DDR3

2005년 업계 최초 DDR3 발표 이후 지속적인 기술 개선으로 PC, 가전제품 등 다양한 애플리케이션에 적합한 성능을 지원합니다.

 

 


DDR3

가장 많이 선택하는 메모리 제품

모든 컴퓨팅 환경에 적합

2005년 개발된 삼성전자의 DDR3는 업계 최초로 등장하여 PC, 가전 제품부터 자동차 및 의료 기기까지 가장 많이 사용되는 시스템 솔루션입니다.


높은 속도와 성능

- 주파수폭 DDR2의 2 배

삼성 DDR3의 대역폭과 안정성이 확장되어 노트북, 데스크탑과 자동차 등의 산업용 솔루션과 같은 다양한한 애플리케이션을 DDR2의 두 배 속도로 작동시킵니다.

 


 

저전력의 효율적인 DRAM 솔루션

- DDR2 대비 전력 감축 최대 30 %

삼성전자의 업계 최초 30 nm 클래스 DRAM은 이전 세대에 비해 전력 소비를 30 % 감축시켜 TCO를 낮춥니다.

 



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